SiC Susceptor/SIC carrier

產品功能：

III-V族wafer經由背面研磨減薄後進行微影、金屬化、刻蝕..等工藝，使用基座加熱至所需溫度後將其鍵合蠟溶解，再經由上下真空吸盤建立真空吸力後，使用步進馬達驅動方式向前移動進而與晶圓分離。

規格：O4~6”厚度0.7+-0.1mm

應用設備：下蠟機（De-mounter；De-Bonder）

應用領域：三五族晶圓代工